<wbr id="bab8c"><sup id="bab8c"></sup></wbr>
  • <wbr id="bab8c"></wbr>
    <form id="bab8c"><legend id="bab8c"></legend></form>
    <nav id="bab8c"><optgroup id="bab8c"></optgroup></nav>


    产品介绍

    NAND Flash

    SK hynix 于2004年 2月成功开发出以120nm技术为基础的512Mb MLC产品,并且在最短的时间内投入量产,继2012年开发20nm技术后,2013年成功开发16nm技术并投入量产。以最高水平的技术力与品质管理作为基础,正在生产SLC(Single Level Cell)、 MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell) 等Type的产品;QDP (Quad DIE Package)、 ODP (Octa DIE Package) 等 High Stack 产品;适用于智能手机、平板电脑、固态硬盘(SSD)等产品。

    DRAM

    SK hynix 在DRAM领域拥有业界最高水平的微细工艺技术,保证世界最高水平的DRAM稳定性,生产可以处理 High Speed Data的Graphic DRAM、适用于各种数码产品的Consumer DRAM、适用于PC、Notebook及服务器的Computing DRAM,适用于携带用Application的Mobile DRAM。

    以2013年开发的25nm技术为基础,于2014年成功开发20nm技术的产品,通过不断进行创新性研究,保持业界最高的技术力量,保证客户对品质的要求。在设计阶段不仅考虑高性能(High Speed)、高容量(High Density),而且考虑低电力消耗,开发环保型产品,以环保型产品的开发和量产为目标引领产品的开发。