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    SK hynix 介绍

    公司简介

    SK海力士,前身为1983年成立的现代电子产业株式会社,1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年从现代集团分离出来,更名为(株)海力士半导体。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商。

    SK海力士致力于生产以DRAM、NAND Flash & CIS非存储器为主的半导体产品。目前在韩国有1条8英寸晶圆生产线和2条12英寸生产线,在中国无锡有一条12英寸生产线。SK海力士是世界第二大DRAM制造商,并于2007年成长为世界第六大半导体企业。目前在世界各地设有销售法人和办事处。SK海力士稳固地立足于以DRAM和闪存为主的半导体存储器领域,通过产品种类多样化,包括涉足CIS商业领域等策略,正逐步成长为综合性的半导体设备供应商。

    公司历程

    1980's
    1983.02
    • 创立现代电子株式会社
    1990's
    1996.12
    • 公司股票上市
    1999.10
    • 合并LG半导体,成立现代半导体株式会社
    2000's
    2001.03
    • 公司更名为(株)海力士半导体
    2001.08
    • 完成与现代集团的最终剥离
    2003.04
    • 宣布与STMicroelectronics公司签定合作生产NAND闪存的协议
    2003.12
    • 宣布与茂德科技签署长期的战略性MOU
    2004.07
    • 获得公司成立以来最大的季度销售利润
    2005.07
    • 提前终止企业重组完善协议
    2006.10
    • 海力士-意法半导体竣工(无锡工厂)
    2007.04
    • 在韩国清州动土建造300mm fab
    2007.03
    • 任命Jong-Kap Kim作为新会长及执行总裁
    2007.12
    • 成功发行约6亿美元大规模海外债券
    2008.05
    • 宣布与台湾茂德科技签订全面合作合约
    2008.08
    • 清州300mm专用第3工场竣工
    2009.02
    • 成功开发世界顶尖44nmDDR3 DRAM
    2010's
    2010.06
    • 中国海太半导体封装测试项目竣工
    2010.09
    • 入选道琼斯可持续发展世界指数
    2011.07
    • 与东芝签署MRAM联合开发协议
    2012.02
    • SK电讯收购海力士
    2012.05
    • 公司名称正式变更为SK海力士株式会社
    2012.06
    • 清州建立M12工厂
    • 收购 Ideaflash S.r.l , 于欧洲建立闪存研发中心
    • 与IBM签署联合开发PCRAM的协议
    2013.02
    • 朴星昱代表理事(CEO)就任
    2013.11
    • 建立16nm Nand Flash 量产体系
    2013.12
    • 成功开发世界最初的20nm LPDDR4
    2014.01
    • 2013年度经营业绩创新高
    2014.04
    • 成功开发世界最初的128GB DDR4 Module